不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：860pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：81.1W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：130 毫欧 @ 13.2A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-TO263-3

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：28nC @ 10V

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：P-Channel

Id-连续漏极电流：18.7A

Rds On-漏源导通电阻：130mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.1V

Vgs - 栅极-源极电压：-10V

Qg-栅极电荷：-21nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：81.1W

通道模式：Enhancement

商标名：SIPMOS

封装：CutTape

高度：4.4mm

长度：10mm

系列：SPB18P06

晶体管类型：1P-Channel

宽度：9.25mm

正向跨导 - 最小值：5S

下降时间：11ns

上升时间：5.8ns

典型关闭延迟时间：25ns

典型接通延迟时间：12ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs